2012年5月(yuè)8日，推進利用(yòng)TSV(矽通孔)的(de)三維層疊型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的(de)Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣布，軟件(jiàn)行(xíng)業(yè)巨頭美(měi)國微軟已加盟該協會(huì)。

　　HMC是采用(yòng)三維構造，在邏輯芯片上(shàng)沿垂直方向疊加多個(gè)DRAM芯片，然後通過TSV連接布線的(de)技術(shù)。HMC的(de)最大(dà)特征是與既有(yǒu)的(de)DRAM相(xiàng)比，性能(néng)可(kě)以得到(dào)極大(dà)的(de)提升。提升的(de)原因有(yǒu)二，一是芯片間的(de)布線距離(lí)能(néng)夠從半導體封裝平攤在主闆上(shàng)的(de)傳統方法的(de)“cm”單位大(dà)幅縮小(xiǎo)到(dào)數十μm～1mm;二是一枚芯片上(shàng)能(néng)夠形成1000～數萬個(gè)TSV，實現芯片間的(de)多點連接。

　　微軟之所以加入HMCC，是因爲正在考慮如(rú)何對應很可(kě)能(néng)會(huì)成爲個(gè)人(rén)電腦(nǎo)和(hé)計(jì)算機性能(néng)提升的(de)“内存瓶頸”問題。内存瓶頸是指随著(zhe)微處理(lǐ)器(qì)的(de)性能(néng)通過多核化不斷提升，現行(xíng)架構的(de)DRAM的(de)性能(néng)将無法滿足處理(lǐ)器(qì)的(de)需要。如(rú)果不解決這個(gè)問題，就會(huì)發生即使購(gòu)買計(jì)算機新産品，實際性能(néng)也(yě)得不到(dào)相(xiàng)應提升的(de)情況。與之相(xiàng)比，如(rú)果把基于TSV的(de)HMC應用(yòng)于計(jì)算機的(de)主存儲器(qì)，數據傳輸速度就能(néng)夠提高(gāo)到(dào)現行(xíng)DRAM的(de)約15倍，因此，不隻是微軟，微處理(lǐ)器(qì)巨頭美(měi)國英特爾等公司也(yě)在積極研究采用(yòng)HMC。

　　其實，計(jì)劃采用(yòng)TSV的(de)并不隻是HMC等DRAM産品。按照(zhào)半導體廠(chǎng)商的(de)計(jì)劃，在今後數年間，從承擔電子設備輸入功能(néng)的(de)CMOS傳感器(qì)到(dào)負責運算的(de)FPGA和(hé)多核處理(lǐ)器(qì)，以及掌管産品存儲的(de)DRAM和(hé)NAND閃存都(dōu)将相(xiàng)繼導入TSV。如(rú)果計(jì)劃如(rú)期進行(xíng)，TSV将擔負起輸入、運算、存儲等電子設備的(de)主要功能(néng)。